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真空濺射鍍膜機(jī)Load-locktypeSputteringEquipmentCS-200z 產(chǎn)品特性 / Product characteristics ? Loadlock式，自動運(yùn)行，操作簡單 ? 成膜面積大，均勻性好 ? T/S距離60～180mm可調(diào)，適用廣 ? 可換托盤式，基板尺寸切換簡便 ? 2～8inch，方片，未定型片，切換兼容 ? 向上濺射，向下濺射可選，顆粒抑制

SAL-3000 ALD原子層沉積系統(tǒng)SAL3000是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設(shè)備，該設(shè)備最多可搭載6路前驅(qū)體，適用于4英寸（φ100mm）以下基底材料的鍍膜。

PE-CVD解決方案與典型CVD反應(yīng)器相比，等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案，同時不會降低薄膜質(zhì)量。高質(zhì)量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉積，而CVD需要650℃至850℃的溫度生產(chǎn)類似質(zhì)量的鍍膜。PE-CVD使用電能產(chǎn)生輝光放電(等離子體)，其中能量轉(zhuǎn)移到氣體混合物中。

系統(tǒng)中的PECVD可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。標(biāo)準(zhǔn)配置射頻(RF)，可選用空陰密度等離子體(HCD)源、感應(yīng)耦合等離子體（ICP）源。

PICOSUN擁有30多年在芬蘭ALD反應(yīng)器制造而得到的專業(yè)技術(shù)。Tuomo Suntola博士，于1974年發(fā)明了ALD技術(shù)，是PICOSUN董事會的成員。我們的技術(shù)官SVEN LINDFORS從1975年開始連續(xù)的設(shè)計ALD系統(tǒng)。綜合起來講，PICOSUN擁有了200多年的ALD經(jīng)驗并貢獻(xiàn)了100多項ALD。我們悠久的歷史和廣泛的背景使PICOSUN成為ALD技術(shù)優(yōu)質(zhì)的合作伙伴。技術(shù)參